Curso práctico: Diseño microelectrónico para radiofrecuencia
Fechas: 5 y 6 de junio de 2025
Horario: 09:00 a 18:00h
Lugar: CITIUS, Universidad de Santiago de Compostela
Modalidad: Presencial
Precio: gratuito. Financiado al 100% por la Cátedra USC-Televés en Microelectrónica.
Número de alumnos/as máximo: 15 personas (por orden de inscripción)
¿De qué va el curso?
Curso práctico centrado en el diseño de amplificadores de bajo ruido (LNAs) para radiofrecuencia (RF). Aprenderás desde los conceptos clave hasta cómo diseñarlos, simularlos y ponerlos a prueba con herramientas profesionales como Cadence. Trabajaremos sobre un caso real, incluyendo layout, simulación electromagnética y empaquetado.
¿A quién va dirigido?
A estudiantes, profesionales y entusiastas de la ingeniería electrónica, telecomunicaciones o diseño de hardware que quieran adentrarse en el fascinante mundo de la radiofrecuencia.
Metodología
- Formato presencial en 2 sesiones intensivas de 9h a 18h
- Ejercicios prácticos con herramientas profesionales de diseño y simulación de circuitos integrados (Cadence)
- Introducción práctica al testado y empaquetado de circuitos RF con instrumentación especializada
- Trabajo guiado paso a paso sobre un diseño real de amplificador de bajo ruido (LNA)
Inscripción y contacto
Organiza: Cátedra USC-Televés de Microelectrónica
Contacto e inscripciones: catedra.chip.televes@usc.es
PROGRAMA
5 de junio:
9:00-11:30 – Teoría de los LNAs
- Introducción a los amplificadores: especificaciones típicas y objetivos de los LNAs
- Fundamentos de la teoría del ruido
- Modelo de pequeña señal del LNA (topologías de fuente común y puerta común)
- Técnicas de optimización del ruido. En particular, degeneración de inductancia en la fuente
- Visión general del ganancia
- Uso de tanque LC para amplificación de ganancia
- Compromiso entre ganancia y ancho de banda
- Visión general de linealidad y estabilidad
11:45-13:30 – Cadence
- Introducción a Cadence
- Buenas prácticas y consejos
- Caso práctico de un LNA con prestaciones concretas
- Frecuencia central, ganancia, figura de ruido y consumo
- Metodología paso a paso para el diseño de un LNA
- Caracterización del transistor y la topología (tamaño y polarización)
- Tanque LC
- Adaptación de salida
- Optimización de ruido con degeneración en la fuente
- Adaptación de entrada
13:30-15:00 – Comida
15:00-18:00 – Cadence
- Metodología paso a paso para el diseño de un LNA
- Caracterización del transistor y la topología (tamaño y polarización)
- Tanque LC
- Adaptación de salida
- Optimización de ruido con degeneración en la fuente
- Adaptación de entrada
6 de junio:
9:00-11:30 – Layout y simulación electromagnética
- Introducción al layout y a la simulación electromagnética
- Layout en Cadence
- Distribución del LNA diseñado (floorplanning)
- Simulación de inductancias mediante EMX o Momentum
- Configuración de herramientas
- Extracción de parámetros SP
- Co-simulación y verificación esquemático + EM
11:45-13:30 – Layout y simulación electromagnética II
- Introducción a la verificación del layout (LVS, DRC y extracción)
- Documentación de DRC
- Configuración de herramientas (PVS)
- Caso práctico → Conexiones de transistores
- Verificación de conexiones (LVS)
- Verificación de reglas de diseño (DRC)
- Extracción de elementos parásitos y co-simulación con el esquemático
13:30-15:00 – Comida
15:00-18:00 – Empaquetado y Medidas
- Introducción al empaquetado
- Tipos de encapsulado
- Elementos parásitos del encapsulado y de los hilos de conexión
- Co-simulación en Cadence
- Introducción a las pruebas RF y buenas prácticas
- Equipamiento de medida RF
- Analizador de redes vectoriales (VNA) y analizador de espectros
- Calibración
- CalKits
- Medidas en oblea vs medidas en PCB
DOCENTES
Roc Berenguer:
Catedrático de Universidad en la Universidad de Navarra (TECNUN), con más de 25 años de experiencia en investigación aplicada en el área de la electrónica de comunicaciones. Es experto en circuitos electrónicos, medidas e instrumentación, y ha desarrollado una intensa actividad docente y científica, con más de 40 publicaciones en revistas indexadas en el JCR (muchas de ellas en el primer cuartil), 4 libros publicados y más de 70 contribuciones a congresos internacionales. Ha colaborado activamente con la industria a través de proyectos I+D+i, especialmente con los spin-offs FARSENS S.L. e Innophase Inc., y ha liderado o participado en más de 25 proyectos de investigación, nacionales e internacionales. Su perfil combina excelencia investigadora, experiencia docente y una sólida conexión con el mundo industrial.
Álvaro Urain Echart:
Doctor en Ingeniería Electrónica y profesor en la Universidad de Navarra (TECNUN), especializado en diseño de circuitos integrados de alta frecuencia y tecnologías SiGe BiCMOS. Es coautor de múltiples publicaciones internacionales sobre diseño de amplificadores de bajo ruido (LNAs) y circuitos para radiometría en bandas milimétricas (D y G Band), colaborando estrechamente con el profesor Berenguer. Su trabajo ha sido presentado en congresos como IEEE IMS y DCIS, y se centra en soluciones electrónicas innovadoras con énfasis en eficiencia energética, miniaturización y control térmico integrado. Su perfil destaca por la combinación de un enfoque técnico avanzado y una clara orientación hacia la investigación aplicada con impacto real.